Japanischer Hersteller von Mikroschaltungen Kioxia entwickelten Flash-Speicher NAND- mit etwa 170 Schichten und schließt sich seinem amerikanischen Pendant Micron Technology und dem südkoreanischen Unternehmen SK Hynix bei der Entwicklung fortschrittlicher Technologien an.
Der neue NAND-Speicher wurde zusammen mit einem amerikanischen Partner entwickelt Western Digital und kann Daten doppelt so schnell aufzeichnen wie das aktuelle Spitzenprodukt von Kioxia, das aus 112 Schichten besteht.
Kioxia, früher bekannt als Toshiba Memory, plant, seinen neuen NAND auf der International Solid State Conference, dem jährlichen globalen Forum der Halbleiterindustrie, vorzustellen und bereits im nächsten Jahr mit der Massenproduktion zu beginnen.
Es hofft, die mit Rechenzentren und Smartphones verbundene Nachfrage zu decken, da die Verbreitung von drahtlosen Technologien der fünften Generation zu erhöhten Volumina und Geschwindigkeiten der Datenübertragung führt. Doch der Wettbewerb in diesem Bereich verschärft sich bereits: Micron und SK Hynix kündigen ihre neuen Produkte an.
Kioxia hat es auch geschafft, mit seinem neuen NAND mehr Speicherzellen pro Schicht unterzubringen, was bedeutet, dass es Chips 30 % kleiner machen kann als andere mit der gleichen Speichermenge. Kleinere Mikroschaltkreise ermöglichen eine größere Flexibilität bei der Herstellung von Smartphones, Servern und anderen Produkten.
Um die Produktion von Flash-Speichern zu steigern, planen Kioxia und Western Digital, in diesem Frühjahr mit dem Bau eines 9,45-Milliarden-Dollar-Werks in Yokkaido, Japan, zu beginnen. Schon 2022 wollen sie die ersten Linien in Betrieb nehmen.
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