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Die Markteinführung von 1 Gbit (128 MB) diskreten STT-MRAM-Speicherchips für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt wurde soeben angekündigt. Dies ist ein um ein Vielfaches dichterer magnetoresistiver Speicher als der zuvor angebotene. Die tatsächliche Platzierungsdichte von STT-MRAM-Speicherelementen wird um das 64-fache erhöht, wenn wir über die Produkte der Firma Micross sprechen, die hochzuverlässige elektronische Füllungen für die Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsindustrie herstellt.
Die STT-MRAM Micross Chips basieren auf der Technologie des amerikanischen Unternehmens Avalanche Technology. Avalanche wurde 2006 von Peter Estakhri, einem Eingeborenen von Lexar und Cirrus Logic, gegründet. Neben Avalanche, Everspin und Samsung. Die erste arbeitet in Zusammenarbeit mit GlobalFoundries und konzentriert sich auf die Veröffentlichung von eingebettetem und diskretem STT-MRAM mit technologischen Standards von 22 nm, und die zweite (Samsung) und gleichzeitig STT-MRAM in Form von 28-nm-Blöcken freigeben, die in Controller eingebaut sind. Übrigens ein Block STT-MRAM mit einer Kapazität von 1 GB Samsung vor knapp drei Jahren präsentiert.
Der Verdienst von Micross kann als die Veröffentlichung von diskretem 1-Gbit-STT-MRAM angesehen werden, das in der Elektronik anstelle von NAND-Flash einfach zu verwenden ist. STT-MRAM-Speicher arbeitet in einem größeren Temperaturbereich (von -40 °C bis 125 °C) mit einer nahezu unendlichen Anzahl von Umschreibzyklen. Es hat keine Angst vor Strahlung und Temperaturänderungen und kann Daten bis zu 10 Jahre in Zellen speichern, ganz zu schweigen von höheren Lese- und Schreibgeschwindigkeiten und geringerem Energieverbrauch.
Denken Sie daran, dass der STT-MRAM-Speicher Daten in Zellen in Form von Magnetisierung speichert. Dieser Effekt wurde 1974 bei der Entwicklung von Festplatten bei IBM entdeckt. Genauer gesagt wurde dann der magnetoresistive Effekt entdeckt, der als Grundlage der MRAM-Technologie diente. Viel später wurde vorgeschlagen, die Magnetisierung der Speicherschicht unter Verwendung des Transfereffekts des Elektronenspins (magnetisches Moment) zu ändern. So wurde dem Namen MRAM das Kürzel STT hinzugefügt. Die Richtung der Spintronik in der Elektronik basiert auf der Übertragung von Spin, was den Verbrauch von Chips aufgrund extrem kleiner Ströme im Prozess stark reduziert.
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