Das wird erwartet Samsung wird nächste Woche den Beginn der Massenproduktion von 3-nm-Chips bekannt geben, berichtet Yonhap News. Damit liegt das Unternehmen vor TSMC, das voraussichtlich in der zweiten Hälfte dieses Jahres mit der Produktion von 3-nm-Chips beginnen wird.
Im Vergleich zum 5-nm-Prozess (der für Snapdragon 888 und Exynos 2100 verwendet wurde) wird der 3-nm-Knoten von Samsung die Fläche um 35 % reduzieren, die Leistung um 30 % steigern und den Stromverbrauch um 50 % senken.
Dies wird durch den Wechsel zum Gate-All-Around (GAA)-Transistordesign erreicht. Es ist der nächste Schritt nach FinFET, da es ermöglicht, die Größe von Transistoren zu reduzieren, ohne ihre Fähigkeit, Strom zu leiten, zu beeinträchtigen. Das auf dem 3-nm-Knoten verwendete GAAFET-Design ist in der folgenden Abbildung dargestellt.
US-Präsident Joe Biden besuchte das Werk im vergangenen Monat Samsung in Pyeongtaek, um an einer Demonstration der 3-nm-Technologie teilzunehmen Samsung. Letztes Jahr gab es Gerüchte, dass das Unternehmen 10 Milliarden Dollar in den Bau einer 3-nm-Foundry in Texas investieren könnte. Diese Investitionen sind auf 17 Milliarden US-Dollar angewachsen, die Anlage soll 2024 in Betrieb gehen.
In jedem Fall ist die größte Sorge beim Erstellen eines neuen Knotens der Ausgang. Im Oktober letzten Jahres Samsung gab an, dass die Leistung des 3-nm-Prozesses "sich dem gleichen Niveau wie der 4-nm-Prozess nähert". Obwohl das Unternehmen keine offiziellen Zahlen vorgelegt hat, glauben Analysten, dass der 4-nm-Knoten Samsung war mit Produktionsausgabeproblemen verbunden.
Ein 3-nm-Knoten der zweiten Generation wird für 2023 erwartet, und die Roadmap des Unternehmens umfasst auch einen 2-nm-MBCFET-basierten Knoten für 2025.
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