Samsung Elektronik beabsichtigt, dank eines Durchbruchs in der DRAM-Herstellung 1 TB DDR5-Speicher in einem einzigen Modul herauszubringen.
Südkoreanisches Unternehmen entwickelten Der erste 32-Gigabit (GB) DDR5-RAM der Speicherbranche mit der höchsten Kapazität im 12-nm-Prozess. Danke dafür Samsung wird in der Lage sein, 5 TB DDR1-Speichermodule zu produzieren, aber die Umstellung auf 32 GB DRAM bietet noch einen weiteren Vorteil. Im Vergleich zu den bestehenden 5-GB-DDR16-DRAM-Modulen, die im 12-nm-Verfahren hergestellt werden, wird der Stromverbrauch der 128-GB-Module um 10 % reduziert.
Laut Sang-Joon Hwan, Vizepräsident für DRAM-Produkte und -Technologie bei Samsung Elektronik, zunächst werden die Hauptverbraucher dieses Speichers Rechenzentren, künstliche Intelligenz und Big Data sein: „Dank unseres 32 Gigabyte großen DRAM-Speichers der 12-nm-Klasse haben wir eine Lösung erhalten, die die Erstellung von DRAM-Modulen mit a ermöglicht.“ Volumen von bis zu 1 TB, wodurch wir ideal positioniert sind, um den wachsenden Bedarf an RAM mit hoher Kapazität im Zeitalter von KI (künstliche Intelligenz) und Big Data zu decken … Wir werden weiterhin DRAM-Lösungen mithilfe differenzierter Herstellungsprozesse entwickeln und Designtechnologien, um die Grenzen der Speichertechnologie zu erweitern.“
Mehr Speicher auf weniger Platz und weniger Stromverbrauch werden bei Rechenzentrumsbetreibern immer beliebt sein. Diese Speichertechnologie soll jedoch irgendwann auf die DDR5-Module übergehen, die in unseren Desktop-PCs und Laptops verwendet werden. Derzeit scheinen 192-GB-Speicherkits bestehend aus vier Modulen für Verbraucher die höchste Stufe zu sein.
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