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SK hynix gab bekannt, dass es den HBM3E-Speicher entwickelt hat, einen Hochgeschwindigkeits-Random-Access-Speicher (DRAM) der nächsten Generation für Hochleistungsrechnen und insbesondere für den Bereich KI. Dieser Speicher ist nach Angaben des Unternehmens der leistungsstärkste der Welt und wird derzeit von SK hynix-Kunden geprüft und getestet.
HBM (High Bandwidth Memory) ist ein Hochgeschwindigkeitsspeicher, bei dem es sich um einen Stapel mehrerer vertikal verbundener DRAM-Chips handelt, der im Vergleich zu herkömmlichen DRAM-Chips eine deutliche Steigerung der Datenverarbeitungsgeschwindigkeit bietet. HBM3E ist eine verbesserte Version des HBM3-Speichers der fünften Generation, der die vorherigen Generationen ersetzt: HBM, HBM2, HBM2E und HBM3.
SK hynix betont, dass die erfolgreiche Entwicklung von HBM3E durch die Erfahrung des Unternehmens als einziger Massenproduzent von HBM3 ermöglicht wurde. Die Massenproduktion von HBM3E soll in der ersten Hälfte des nächsten Jahres beginnen, was die führende Position des Unternehmens auf dem KI-Speichermarkt stärken wird.
Laut SK hynix erfüllt das neue Produkt nicht nur die höchsten Industriestandards in Bezug auf Geschwindigkeit, einem wichtigen Speicherparameter für KI-Aufgaben, sondern auch in anderen Kategorien, einschließlich Kapazität, Wärmeableitung und Benutzerfreundlichkeit. Der HBM3E ist in der Lage, Daten mit Geschwindigkeiten von bis zu 1,15 TB/s zu verarbeiten, was der Übertragung von mehr als 230 Full-HD-Filmen in voller Länge mit jeweils 5 GB pro Sekunde entspricht.
Darüber hinaus verfügt der HBM3E durch den Einsatz der fortschrittlichen Technologie Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF10) über eine um 2 % verbesserte Wärmeableitung. Der neue Speicher bietet außerdem Abwärtskompatibilität, sodass Sie ihn in vorhandenen Beschleunigern verwenden können, die unter HBM3 erstellt wurden.
„Wir arbeiten seit langem mit SK hynix im Bereich Speicher mit hoher Bandbreite für fortschrittliche Accelerated-Computing-Lösungen zusammen. Wir freuen uns darauf, unsere Zusammenarbeit mit HBM3E fortzusetzen, um die nächste Generation des KI-Computings aufzubauen“, sagte Ian Buck, Vizepräsident für Hyperscale und High Performance Computing bei NVIDIA.
Sungsoo Ryu, Leiter der DRAM-Produktplanung bei SK hynix, betonte, dass das Unternehmen seine Marktposition durch die Erweiterung der HBM-Produktlinie gestärkt habe, die angesichts der Entwicklung der KI-Technologie im Rampenlicht stehe.
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