TSMC, der größte Vertragshersteller von Halbleiterprodukten, hat der Quelle zufolge mit dem Bau eines Produktionskomplexes begonnen, in dem der 2-Nanometer-Technologieprozess beherrscht werden soll. Der Komplex umfasst ein F&E-Zentrum und eine Produktionsstätte. Die neuen Einrichtungen werden in der Nähe des Firmenhauptsitzes im Hsinchu Science Park, Taiwan, errichtet.
Nach vorläufigen Daten soll im 2-Nanometer-Prozess die Gate-All-Around-Technologie (GAA) zum Einsatz kommen. Gleichzeitig begann der Hersteller mit der Planung der Entwicklung eines 1-Nanometer-Verfahrens.
Zusammen mit Kristallproduktionstechnologien verbessert das Unternehmen seine Verpackungstechnologien. Es ist geplant, die Einführung fortschrittlicher Verpackungstechnologien wie SoIC, InFO, CoWoS und WoW zu beschleunigen. Alle von ihnen werden von TSMC als 3D-Fabric klassifiziert, obwohl sich einige von ihnen auf 2.5D beziehen. Diese Technologien werden in der zweiten Hälfte des Jahres 2021 auf den ZhuNan- und NanKe-Linien in Massenproduktion gehen.
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